目 录

1. 投资观点 . 5

1. 碳化硅高性能+低损耗，产业化受制于衬底产能 . 7

1.1. 半导体材料更迭四代，宽禁带材料突破瓶颈 . 7

1.2. SiC 功率器件性能优越，有望实现对硅基器件的替代 9

1.3. 价值量集聚于衬底和外延，成本高企制约产能释放  12

1.3.1. 价值量聚焦于衬底和外延，市场规模增长较快 . 12

1.3.2. 衬底扩径有望降低成本，8 英寸衬底2024 年集中落地 13

1.3.3. 衬底成本高企制约产业化发展，核心在于产能供应不足 . 14

2. 碳化硅工艺难度大，衬底制备是最核心环节 . 15

2.1. 晶体生长：速度慢可控性差，是衬底制备主要技术难点 . 16

2.2. 晶体加工：切割是技术难点，研磨抛光提高表面质量 . 18

2.2.1. 切割是首道加工工序，固结磨料金刚线切割应用最广. 19

2.2.2. 研磨抛光清洗工序，保障晶片表面质量和精度要求  22

2.3. 外延生长：极大影响器件性能，向低缺陷高耐压发展 . 23

2.4. 晶圆制造：工艺与硅基类似，需要特定工艺和设备  25

3. 新能源需求拉动，产能放量为设备投资带来增量  26

3.1. 需求端：新能源车需求领航，光伏应用前景广阔  26

3.2. 供给端：国内外衬底厂商放量在即，带来巨大设备空间 . 30

4. 投资建议及推荐标的  35

4.1. 高测股份：深耕高硬脆材料切割，耗材设备同步推动 . 35

4.2. 东尼电子：专注超微细合金线材，推动金刚线技术持续改造 37

4.3. 德龙激光：聚焦激光加工设备，推出碳化硅激光切割设备  39

5. 风险提示 . 42