目录

一、行业转型， PERC 电池到TOPCon 电池，道易且近.4

二、TOPCon 优势明显：电池效率高、温度系数低、光衰减小等 6

三、从技术角度看，PECVD 有望从LP/PE/PVD 路线之争中胜出9

(一) 制备多晶硅层，LPCVD 工艺成熟，PECVD 综合性能最佳10

1. LPCVD 成熟度最高，但有绕镀、原位掺杂难等难题. 11

2. PECVD 成熟度次之，但轻微绕镀、原位掺杂等优点突出15

3. PVD 为物理反应过程，无绕镀，但设备Uptime 略低 17

(二) LPCVD/PECVD 法制备隧穿层SiO2 膜，膜层致密度相当18

(三) 总结：TOPCon 的工艺路线，PECVD 有望成为主流.19

(四) TOPCon 各环节竞争格局及价值量拆分. 22

四、TOPCon 路线设备布局厂商，产能统计.25

五、投资建议 27

（一）捷佳伟创. 27

（二）帝尔激光. 28

六、风险提示 29

图表目录

图1：TOPCon 电池结构图.4

图2：PERC 电池结构图.4

图3：TOPCon 电池膜层示意图4

图4：PERC 电池膜层示意图4

图5：TOPCon 电池隧穿层能阻挡空穴通过，而允许电子通过. 5

图6：根据ISFH 计算，单面TOPCon 电池理论极限效率为27.1% . 6

图7：目前，TOPCon 实验室最高转换效率已达到26.40% 7

图8：晶科N 型TOPCon 组件双面率达85% . 7

图9：30 年，N 型TOPCon 组件效率不低于出厂效率87.4%  7

图10：温度系数越高，功率损失越多.8

图11：N 型组件实时工作温度较P 型组件低 8

图12：N 型组件弱光效应更好8

图13：TOPCon 工艺与PERC 工艺兼容性较高（TOPCon 以离子注入工艺路线为例） 9

图14：TOPCon 产业化面临的主要技术问题10

图15：制备多晶硅掺杂膜，LPCVD/PECVD/PVD 工艺对比 10

图16：对于多晶硅膜沉积，LPCVD/PECVD/PVD 三条路线对比. 11

图17： LPCVD 法可实现制备氧化层、本征多晶硅层“二合一” . 11

图18：LPCVD 设备示意图. 11

图19：LPCVD 绕镀现象（左侧为本征掺杂，右侧为非本征掺杂） 12

图20：湿法单面清洗示意图. 13

图21：清洗绕镀的原理是基于刻蚀剂对各膜层刻蚀速度不同.13

图22：LPCVD 原位掺杂中，掺杂浓度与沉积速度成反向关系.14

图23：LPCVD 非原位掺杂，磷扩散的过程14

图24：离子注入法及后续晶化示意图.14

图25：PECVD 设备示意图 15

图26：PECVD 法制备，也可能出现轻微绕镀16

图27：当硅片槽与硅片尺寸完美匹配时，绕镀问题基本消除.16

图28：金字塔绒面硅片，表面足够粗糙时，没有爆膜问题 16

图29：PVD 沉积膜原理简图 17

图30：酸刻蚀速度对比：PECVD<LPCVD<热氧化法18

图31：制备SiO2 的致密度：热氧法>PE>LP>ALD  18

图32：SiO2 膜层均匀性对比，PECVD/LPCVD 相当，ALD 与热氧法最佳.19

图33：TOPCon 电池结构中，各类膜主流制备方法.20

图34：TOPCon 主要工艺路线流程（LPCVD/PECVD/PVD） .21

图35：LPCVD、PECVD、PVD 三条工艺路线对比. 22

图36：TOPCon 路线各设备主要供应商. 23

图37：各家设备商技术路线. 24

图38：TOPCon 在建产能已超过470GW  26